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To accurately simulate modern semiconductor process steps, a simulation tool must include a variety of physical models and numerical methods. Increasingly complex physical formulations are required to account for effects that were not important in simulating previous generations of technology. Thus flexibility in definition of models as well as numerical solving methods is highly desirable. An object-oriented approach has been applied to implementing a dimension independent solver which uses an analytical input interface in the manner of Math-Cad, Mathematica, Matlab, etc., but highly optimized for high performance semiconductor modeling. To demonstrate the abilities of AMIGOS a new approach to the local oxidation in three dimensions is presented, based on a parameter dependent smooth transition zone between silicon and silicon-dioxide. The resulting two phase problem is solved by calculating a free diffusive oxygen concentration and its chemical reaction with pure silicon to silicon-dioxide. This effect causes a volume dilatation which leads to mechanical stress concerning the surrounding boundary conditions. By a suitable set of parameters this kind of approach is equivalent to the standard sharp interface model based on the fundamental work of Deal and Grove. 0-7803-3775-1 /97/$10.00 0 1997 IEEE.

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Reçu le 10 janvier 2002 ; accepté après révision le 26 février 2002Note présentée par René Moreau. RésuméOn étudie le transfert de masse à l'interface liquide/solide et liquide/liquide dans les mêmes conditions géométriques et hydrodynamiques. Nous avons utilisé une méthode électrodiffusionnelle, avec une électrode de travail en Gallium dont le point de fusion est proche de la température ambiante (29,8 • C).Nous avons constaté des lois de transfert très voisines dans les cas liquide/solide et liquide/liquide en régime laminaire ; par contre il existe une différence notable en régime turbulent pouvant être interprétée par l'apparition de vagues à l'interface liquide/liquide, qui accroît très fortement le transfert.