Проведено дослiдження впливу прямої полярностi на вихiднi параметри сонячних елементiв (СЕ) ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. Експериментально зафiксовано вплив електричного поля прямої полярностi на вихiднi параметри i свiтловi дiоднi характеристики СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, у яких вiдбулася деградацiя ККД. При витримцi затемненого СЕ не менше 120 хвилин в електричному полi, наведеним зовнiшньою постiйною напругою величиною (0,5-0,9) В, спостерiгається зростання ККД.
Полярнiсть електричного поля повинна вiдповiдати прямому змiщенню n-p гетеропереходу. Зростання ККД спостерiгається лише у тому випадку, якщо при деградацiї приладової структури не встигли сформуватися дефекти, якi за вказаний час витримки призводять до самовiдновлюючих електричних мiкропробоїв, що чередуються. Встановлено, що зростання ККД вiдбувається за рахунок збiльшення густин фотоструму, зменшення послiдовного та збiльшення шунтувального опорiв СЕ. Покращення дiодних характеристик вiдбувається завдяки кiльком фiзичним процесам. При подачi на СЕ напруги прямого змiщення, всерединi диодной структури СЕ створюється електричне поле, яке пiдсилює вбудоване електричне поле тильного р-р + гетероперехода i пригнiчує вбудоване електричне поле фронтального n + -p гетероперехода. Це вiдбувається внаслiдок того, що дiоди включенi на зустрiч один одному. Величина напруги прямого змiщення не повинна перевищувати висоту потенцiйного бар'єру гетеропереходу. У цьому випадку на тильному р-р + гетеропереходi та у прилеглих до нього з обох сторiн областях будуть iнтенсифiкованi процеси пов'язанi з транспортом атомiв мiдi. Крiм того, спостерiгається перебудова комплексiв точкових дефектiв, що мiстять мiдь, та фазовi перетвореннями Cu 1,4 Te в Cu 2-x Te. Також пiд впливом поля, iндукованого прямозмiщуючою напругою, частки Cu Cd-з областi збiднення шару CdS почнуть рухатись у абсорбер. Це повинно знизити опiр частини шару CdS i привести до зменшення ширини областi збiднiння з боку абсорбера, тим самим, забезпечити зростання спектральної чутливостi СЕ в короткохвильовiй i середньохвильовiй областях сонячного спектру. Електродифузiя додаткової кiлькостi CuCd-в абсорбер повинна посилювати вищеописаний i пов'язаний з цим ефект пiдвищення спектральної чутливостi, а значить i Jф приладiв. На основi проведених дослiджень був розроблений алгоритм вiдновлення ефективностi СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au i вiдбраковування деградованих приладових структур в складi працюючого модуля що працюєКлючовi слова: телурид кадмiю, деградацiя сонячного елементу, спосiб вiдновлення, вихiднi параметри, свiтловi дiоднi характеристики UDC 621:53.096
