2014 Le dispositif décrit permet une mesure du pouvoir thermoélectrique d'échantillons de faible dimension (quelques mm) entre 4 et 800 K. La mesure est assistée par une chaîne d'acquisition de données sous le contrôle d'un calculateur. Il est possible de mesurer le P.T.E. d'échantillons métalliques (S 10 03BCV/K) comme le P.T.E. d'échantillons semi-conducteurs à fort coefficient de Seebeck (S > 500 03BCV/K) avec une précision de 2 %. L'appareil a été testé sur un échantillon de fer électrolytique standard. Abstract. 2014 A method is described for measurements of the thermoelectric power of small samples in the temperature range 4-800 K. The help of a data acquisition system monitored by a calculator is required. Measurements may be performed on metallic samples (S 10 03BCV/K) as well as on semiconductors with high Seebeck coefficient (S > 500 03BCV/K) within an accuracy of 2 %. The device has been checked on a standard electrolytic sample.

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2014 Nous avons mesuré le pouvoir thermoélectrique et la résistivité électrique du trichalcogénure NbSc3 selon l'axe des chaînes, en fonction de la température (80-160 K) autour du point de transition structurale T1 = 144 K. Immédiatement au-dessous de T1, les points de mesure du P.T.E. ont été accumulés avec une reproductibilité de ± 1 03BCV/K, mettant en évidence un changement de pente très abrupt. On interprète les résultats sur la base d'un modèle simple, à l'aide du paramètre d'ordre associé à l'intensité des taches de surstructure observées audessous de T1. Abstract. 2014 Temperature dependence (80-160 K) of the thermoelectric power and electrical resistivity for trichalcogenure NbSe3 have been measured along chain axis, around the structural transition (T1 = 144 K). Below the temperature T1, experimental values for T.E.P. are accumulated within a ± 1 03BCV/K reproducibility, showing a sharp change in the slope. We explain these results on the basis of a simple model and in term of the order parameter describing the measured superlattice peaks intensity.

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