This ietter reports the results obtained with planar p-i-n photodiodes realized using three different passivating coatings and compares their performances and long-term stability in view of highly reliable component development.

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La diffusion du zinc a été effectuée dans les alliages Ga1-xAl xSb de type n, à x ≤ 0,20, obtenus par épitaxie en phase liquide sur substrat GaSb (111). Les températures de diffusion ont été fixées à 510 °C, 550 °C et 600 °C. La diffusion a été réalisée en tube fermé à partir de la phase vapeur. Les profils de diffusion ont été déterminés avec une microsonde ionique. Le coefficient de diffusion effectif a été calculé. Il s'écrit Deff = D0 exp( — E0/kT) avec pour x = 0,17, D0 = 8 cm2 s-1 et E 0 = 1,92 eV. La solubilité limite ainsi que la vitesse de diffusion du zinc augmentent avec la teneur en aluminium de l'alliage. Des photodiodes p+ n à géométrie MESA (∅ = 300 μm) ont été préparées. Les jonctions diffusées sont abruptes avec des courants inverses (autour de 10 μA) attribués à des courants de surface. L'étude de la réponse spectrale des photodiodes a été effectuée en fonction de la composition de l'alliage et de la profondeur de jonction. Les meilleurs résultats ont été obtenus avec des jonctions peu diffusées (0,4 μm). Ils montrent que les structures diffusées p+ n à Ga0,85Al0,15Sb et Ga0,96Al0,04Sb sont adaptées à la photodétection à 1,3 μm et 1,55 μm

2014 Deux types de photodétecteurs à Ga1-xAlxSb (x ~ 0,17) ont été fabriqués et caractérisés : des diodes mésa diffusées Zn p+/n et des hétérojonctions oxyde d'indium dopé étain (ITO)/Ga1-xAlxSb n. L'alliage ternaire Ga1-xAlxSb était fabriqué par épitaxie en phase liquide sur des substrats de GaSb. Pour les diodes p+/n le courant inverse peut être attribué à l'effet tunnel assisté par des pièges, il a pour valeur 6 x 10-4 A/cm2 à 2014 1 V (Nd-Na = 1016 cm-3). La sensibilité de ces diodes dépend fortement de la profondeur de la jonction, elle est voisine de 0,32 A/W pour une profondeur de 0,5 03BCm. Les diodes ITO/Ga1-xAlxSb sont très analogues à des diodes Schottky. Le claquage se situe vers-15 V à 300 K pour Nd-Na = 7 x 1016 cm-3, Jinv (-1 V) = 1,7 x 10-4 A/cm2. L'efficacité quantique est de 0,5 juste au-dessus du gap, le maximum de réponse spectrale se situe dans le visible. La discussion de ces résultats conduit à conclure que l'amélioration de ces dispositifs implique la diminution du niveau de dopage de la zone active. Abstract.-Two types of photodetectors involving the ternary alloy Ga1-xAlxSb (x ~ 0.17) have been fabricated and characterized : Zn diffused p+/n Ga1-xAlxSb mesa diodes and Sn doped indium oxide (ITO)/Ga1-xAlxSb n heterojunctions. The Ga1-xAlxSb ternary alloy was grown by liquid phase epitaxy on GaSb substrates. For p+/n diodes the reverse current can be attributed to tunnelling through traps, it is about 6 x 10-4 A/cm2 at-1 V for Nd-Na = 1016 cm-3. The sensitivity of these diodes is strongly dependent on the depth of the junction, it is near 0.32 A/W for a 0.5 03BCm deep junction. ITO/Ga1-xAlxSb diodes are very similar to Schottky diodes. The'breakdown occurs near-15 V at 300 K for Nd-Na = 7 x 1016 cm-3, Jinv (-1 V) = 1.7 x 10-4 A/cm2. The spectral response of the quantum efficiency is about 0.5 just below the gap, its maximum appears in the visible range. The discussion of the results leads to the conclusion that these devices may be improved by a decrease of the doping level of the active region.

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