The present paper reports on the results of an investigation of crystallization of multilayer structures with a narrow-gap semiconductor surrounded by txvo wide-gap ones in the A1-Ga-P-As system on GaAs and GaP substrates. Influence of the lattice parameters' difference on the value of thermal stress in structures with it composition gradient was determined by the bend of structures separated from the substrate. It has been proved that with the P concentration in solid solutions being less than 17: heterojiinctions with less t,erisions than in the Al-Ga-As system are available. A new method of obtaining A1,Gal-zPUAsl-y solid solutions with the concentration of P proportional to that of A1 has been worked out on the basis of which miiltilayer heterolight-emitting structures have been prepared.Die vorliegeride Arbeit berichtet, uber Ergebnisse einer Untersuchung der Kristallisation von Mehrschichtstrukturon aus eiiiem schmalbandigen, beiderseitig benachbart von einem breitbandigcn Halbleiter des Systems Al-Ga-P-As auf GaAs bzw. Gap-Substraten. Der EinfluB der Gitterparamoterdifferenz auf den Wert der thermischen Spannung in Strukturen mit einem Gradienten der Zusammensetzung wurde anhand der Verbiegung der Schicht nach Ablosung vom Substrat bestimmt. Es wurde naehgewiesen, daB bei P < 1 yo in dcr festen Losung Heterouberglnge mit geringeren Spannungen als im Al-Ga-AsSystem erreichbar sind. A1,Gal -$PuAs~ -2/-Mischkristalle mit P-Konzentrationen proportional den Al-Konzentrationcn konnten erhalten werden.

GazInl -,P epitaxial layers were investigated by means of a scanning electron microscope X-ray microanalyser. The conditions for quantitative X-ray microprobe analysis are discussed. The growth of Ga,Inl -,P layers is possible on GaP substrates with x > 0,s and on GaAe with 0,3 < x < 0,B. For the deposition of layers with 0,6 < z < 0,s two substrate materials are possible: GaAel-,PZ or GazIni-zP with suitable compositions. These materials must be epitaxially deposited by step by step layer growth or by vapour phase epitaxy, respectively.Mit Hilfe eines Elektronenstrahl-Mikoanalysators wurden epitaktische Ga,Inl-Z P -Schichten untersucht. Bedingungen fur die quantitative Elektronenstrahl-likoanalyse werden diskutiert.GaJnl-,P Schichten mit 2 > 0,s konnen auf GaP Substraten, solche mit 0,3 < 2 < 0,6 auf GaAs Substraten abgeschieden werden. Zur Zuchtung von Epitaxieschichten mit 0,6 < 2 < 0,s stehen zwei Substratmaterialien zur Verfiigung:Ga,Ini -zP, welches uber mehrere Zwischenschichten mit abnehmenden 2 auf GaP abgeschieden wird, beziehungsweise GaAsZP1-, geeigneter Zusammensetzung, welches durch Gasphasenepitaxie erhalten wird.