Поступила в Редакцию 21 февраля 2019 г. В окончательной редакции 24 февраля 2019 г. Принята к публикации 24 февраля 2019 г.Исследовано влияние низкотемпературного (до 600 • С) изотермическoго и изохронного отжигов на изменение электрофизических характеристик, облученных JBS диодов Шоттки на основе n-4H-SiC. Облучение выполнялось электронами с энергией 0.9 МэВ дозой 1 · 10 16 см −2 . Показано, что основное восстановление прямых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик облученных диодов происходит при температурах отжига до 300 • С. При увеличении температуры отжига до 500 • С происходит отжиг практически 90% введенных облучением быстрыми электронами радиационных дефектов. Для использования в инженерии радиационных дефектов (Radiation Defect Engineering) рекомендуемые режимы стабилизирующего отжига могут составлять 500 • С, 30 мин.Ключевые слова: карбид кремния, облучение электронами, радиационные дефекты, отжиг.

The report submitted contributes to the series of research works in the spheres of rare-earth (RE) application to electronic industry, and namely, to the production of such devices as surface-barrier structures, solar cells’ elements.