Рассмотрена электростатика слоев кристалла на основе соединений 1 3 2 6 с решеткой халькопирита. Построена элементарная прямоугольная ячейка слоев кристалла, удовлетворяющая условию сходимости при расчете электростатических потенциалов по методу Монкхорста. Показано, что электростатические потенциалы на ионах и энергии слоев в приповерхностной области кристалла возрастают по модулю и сходятся к объемным значениям на расстоянии порядка 2 нм от поверхности кристалла. Установлено, что при неизменной величине тетрагонального сжатия ϒ с увеличением анионного смещения δ происходит рост по модулю потенциалов на анионах и одновалентных катионах, и заметное падение на трехвалентных катионах. Показано, что при неизменном анионном смещении с ростом ϒ уменьшаются по модулю слоевые электростатические потенциалы и кулоновские энергии слоев кристалла. Сравнение проведенных нами расчетов объемных энергий по методу Монхорста и Эвальда показывает их совпадение с точностью до пятого знака после запятой.