In the scope of simple models analytical estimates of quantum capacitance for the infinite graphene sheet, graphene nanoribbon and carbon atoms chain (carbyne) are fulfilled. Non-monotonic dependence of on the electrostatic potential is demonstrated. Obtained results are compared with the calculations of the other authors.

The structure of epitaxial graphene formed by thermal destruction of silicon carbide surface in the conditions of vacuum synthesis and in an Ar environment has been studied by reflection electron diffraction. As a result of the conducted study it is found the notably more homogeneous graphene coating of buffer layer on the SiC surface under the graphene formation on the polytypes 4H- и 6H- SiC(0001) surfaces in the inert environment as against the graphene synthesis in vacuum. The dependence of quality of the covering from degree of initial single crystal perfection is shown.

Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики коммерческих выпрямительных диодов на основе барьера Шоттки к 4H-SiC в диапазоне температур 20-370oС; максимальный ток составлял 10-20 мА, максимальное напряжение 10-100 В. Установлено, что диоды можно считать близкими к идеальным с высотой барьера Шоттки ~1.5 эВ, при этом прямой ток во всем диапазоне температур, а обратный ток при высоких температурах в значительной степени обусловлены термоэлектронной эмиссией. Верхняя граница диапазона рабочих температур выпрямительных диодов Шоттки на основе 4H-SiC при исследуемых токах и напряжениях примерно соответствует фундаментальной границе, определяемой высотой барьера, и в представленном эксперименте достигает 370oC. Ключевые слова: карбид кремния, выпрямительный диод, барьер Шоттки, высокая температура.

In the scope of simple models analytical estimates of quantum capacitance for the infinite sheet, nanoribbon and chain of the 2D analogs of the compounds, having hexagonal structures (graphene-like compounds) are fulfilled. Non-monotonic dependence of on the electrostatic potential is demonstrated. Obtained results are compared with the calculations of the other authors.

Electronic structures of superlattices and encapsulated layers are obtained by Green’s function method. The simple scheme for estimation of interlayer charge transfer is proposed. As an example, layers of graphene and graphene-like compounds are considered.