Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики коммерческих выпрямительных диодов на основе барьера Шоттки к 4H-SiC в диапазоне температур 20-370oС; максимальный ток составлял 10-20 мА, максимальное напряжение 10-100 В. Установлено, что диоды можно считать близкими к идеальным с высотой барьера Шоттки ~1.5 эВ, при этом прямой ток во всем диапазоне температур, а обратный ток при высоких температурах в значительной степени обусловлены термоэлектронной эмиссией. Верхняя граница диапазона рабочих температур выпрямительных диодов Шоттки на основе 4H-SiC при исследуемых токах и напряжениях примерно соответствует фундаментальной границе, определяемой высотой барьера, и в представленном эксперименте достигает 370oC. Ключевые слова: карбид кремния, выпрямительный диод, барьер Шоттки, высокая температура.