Аннотация. В работе приводится обзор существующих методов и инструментов автоматизированной генерации эксплойтов повторного использования кода. Такие эксплойты используют код, уже содержащийся в уязвимом приложении. Подход повторного использования кода (например, возвратно-ориентированное программирование) позволяет эксплуатировать уязвимости программного обеспечения при наличии защитного механизма операционной системы, который запрещает исполнение кода страниц памяти, помеченных в качестве данных. В статье дается определение базовых понятий таких, как гаджет, фрейм гаджета, каталог гаджетов. Кроме того, показывается, что гаджет по своей сути является инструкцией, а их набор задает некоторую виртуальную машину. Задача создания эксплойта сводится к задаче генерации кода для такой виртуальной машины. Набор команд виртуальной машины задается исполняемым кодом конкретной программы. В работе приводится обзор методов поиска гаджетов и определения их семантики (формирования каталога гаджетов). Они позволяют получить набор команд виртуальной машины. Если набор гаджетов в каталоге полон по Тьюрингу, то гаджеты из каталога можно использовать в качестве набора команд целевой архитектуры компилятора. Однако в каталоге гаджетов для конкретного приложения могут отсутствовать некоторые инструкции, поэтому в литературе было предложено несколько способов для замены отсутствующих инструкций несколькими гаджетами. Связывание гаджетов в цепочки может происходить как поиском гаджетов по шаблонам, задаваемым регулярными выражениями, так и с учетом семантики гаджета. Более того, существуют подходы конструирования ROP цепочек с использованием генетических алгоритмов, а также методы с использованием SMT-решателей. В статье проводится сравнение инструментов с открытым исходным кодом. Мы предлагаем тестовую систему rop-benchmark, с помощью которой была проведена экспериментальная проверка работоспособности генерируемых инструментами цепочек на специально сформированном наборе тестов.

No abstract

Знание величин длин диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в разных режимах работы таких матриц важно как для анализа фотоэлектрических процессов в фотоприемных приборных структурах, так и для понимания того, какие факторы и каким образом определяют значения приборных характеристик соответствующих фотоприемных устройств.