Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя с n + −p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения в исследуемой полупроводниковой структуре существенное влияние оказывают ловушки, возникающие при формировании пленки пористого кремния.

Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929

Проведены исследования оптического спектра пропускания и температурной зависимости вольт-амперных характеристик плоскопараллельной пластины рубрена, изготовленной газотранспортным методом. Из оптического спектра пропускания определено значение ширины запрещенной зоны. Установлено, что вольт-амперные характеристики могут быть объяснены в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом. На процессы токопрохождения существенное влияние оказывают ловушки.

We have studied experimental samples of photoelectric transducers with an n ^+– p junction based on a silicon single crystal and an antireflection porous silicon (por-Si) film formed by color chemical etching in a HF : KMnO_4 : C_2H_5OH etcher. It is shown that for KMnO_4 oxidant concentrations of 0.025 and 0.040 M, the por-Si film growth time at which the maximal efficiency of the photoelectric transducer is reached can be substantially increased as compared to that attained using anode electrochemical etching. For investigating the current transmission mechanisms, we have measured the temperature dependence of forward- and backward-bias current–voltage branches. The existence of several current transmission mechanisms has been established. It is found that traps with activation energy distributed in a continuous range of values considerably affect the current transmission.

Defects in the semiconductor structure of a photovoltaic converter (PVC) with a p – n junction and antireflection film of porous silicon manufactured using chemical stain etching were studied by the current deep-level transient spectroscopy technique. The influence of the regime of porous silicon film formation on the transformation of deep-level defects and the main PVC characteristics is explained.