Представлены результаты исследований влияния на кинетику роста и полярность слоев GaN/Si(111) начальных условий при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота-условий нитридизации подложки Si(111), температуры роста GaN, стехиометрических условий роста GaN. Экспериментально установлено, что оптимальными начальными условиями эпитаксии GaN на подложках Si(111) является высокотемпературная нитридизация подложки Si(111), проводимая непосредственно перед ростом GaN. Показана возможность управления полярностью GaN за счет соответствующего выбора роста в условиях с N-или Ga-обогащением на начальной стадии эпитаксии GaN/Si(111).

The article investigates the effect of rapid thermal annealing of ternary GaAs1-xNx/GaAs solid solutions on the distribution of nitrogen atoms in the crystal lattice. The samples are studied by photoluminescence spectroscopy and high-resolution X-ray diffractometry. Due to the size and electronegativity mismatch of nitrogen and arsenic atoms, nitrogen is incorporated unevenly into the GaAs crystal lattice. Options of the nitrogen atoms arrangement in the GaAs crystal lattice before and after rapid thermal annealing are shown.