Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе InGaAs/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки (КЯТ) с фронтальным и торцевым вводом излучения. Фотодетектор с 40 рядами КЯТ продемонстрировал спектральную чувствительность до 0.4 A/W в диапазоне 900-1100 nm при смещении -5 V. Постоянная времени спада импульсного отклика фотодетектора площадью 1.4·10-4 cm2 составила ~250 ps. Ключевые слова: фотодетектор, быстродействие, спектральная чувствительность, наноструктуры, емкость.

AlGaAs/GaAs microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots region were transferred onto a silicon wafer using indium bonding. Microlasers have a joint electrical contact put over a residual n+ GaAs substrate, whereas their individual addressing is achieved by placing them p-contact down to separate contact pads. No effect of non-native substrate on electrical resistance, threshold current, thermal resistance, and spectral characteristics was revealed. Microdisks lase in continuous-wave mode without external cooling with the threshold current density of 0.7 kA/cm2. Lasing wavelength remains stable (<0.1 nm/mA) against injection current increment.

No abstract

No abstract