Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs

Abstract

AlGaAs/GaAs microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots region were transferred onto a silicon wafer using indium bonding. Microlasers have a joint electrical contact put over a residual n+ GaAs substrate, whereas their individual addressing is achieved by placing them p-contact down to separate contact pads. No effect of non-native substrate on electrical resistance, threshold current, thermal resistance, and spectral characteristics was revealed. Microdisks lase in continuous-wave mode without external cooling with the threshold current density of 0.7 kA/cm2. Lasing wavelength remains stable (<0.1 nm/mA) against injection current increment.

Исследование Чувствительности Микродискового Лазера К Изменению Показателя Преломления Окружающей Среды

“…В настоящее время уже реализованы микродисковые лазеры на основе кван-товых точек InAs/InGaAs/GaAs, способные работать в непрерывном режиме при оптической накачке в водной среде [6]. Кроме того, такие микролазеры могут быть успешно интегрированы с кремниевой подложкой [7], с детектором лазерного излучения [8], а также демонстрируют скорость передачи данных до 10 Gb/s при низком энергопотреблении [9].…”

Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии

“…Однако технология синтеза соединений А 3 В 5 на кремниевых подложках является довольно сложной, а изготовленные из таких пластин приборы по характеристикам все еще уступают их аналогам на подложках GaAs. Использовать максимально высокие приборные характеристики лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с квантовыми точками позволяет гибридная интеграция, т. е. перенос микролазеров или их массивов, предварительно изготовленных из синтезированной на обычной подложке GaAs лазерной гетероструктуры, на специально подготовленные области поверхности кремниевой подложки [5,6].…”