The paper shows the possibility of switching a nanowire from NbN from the superconducting state to the normal state in a non-contact way by passing current through a gate that is placed at a certain distance from the nanowire. The gate is separated from the nanowire by an Al2O3 layer and contains integrated resistor formed under ion irradiation. It were experimentally found the dependences of the minimum power released at the gate, sufficient to transfer the nanowire to its normal state, depending on the value of the direct current through the nanowire. Based on this principle, a signal inverter has been created that contains three consecutive stages, which shows the potential use of this technique for forming the elemental logical base of a cryogenic computer.

Проведено моделирование распределения температур в функциональном наноэлементе из NbN со встроенной областью нормального металла. Функциональный элемент представляет собой два нанопровода из NbN толщиной 4 nm, расположенных на подложке из монокристаллического AL2O3. Провода разделены слоем диэлектрика толщиной 10 nm. В нижний нанопровод с помощью технологии СЗА, встроена область нормального металла. Дана приблизительная оценка быстродействия функциональных наноструктур, для создания которых используется подобный поход. Ключевые слова:Тонкие сверхпроводящие пленки NbN; функциональные сверхпроводящие наноэлементы из NbN; моделирование тепловых процессов.