Исследованы температурные зависимости электропроводности тонких пленок V2O3, полученных методом лазерного напыления. Ниже 150 K наблюдали заметное (на четыре-пять порядков) уменьшение электропроводности, вызванное фазовым переходом металл-изолятор. Показано, что гидрирование пленок приводит к понижению температуры этого фазового перехода. DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45241.174

The electrical conductivity of thin polycrystalline V_(1 – _ x )W_ x O_2 has been studied in a wide temperature range, which covers the regions of both the metallic and insulator phases. An increase in the tungsten concentration is shown to shift the metal–insulator phase transition toward lower temperatures, while the temperature range of the coexistence of the phases monotonically increases as the impurity concentration increases. The temperature dependence of the conductivity of the insulator phase of V_(1 – _ x )W_ x O_2 is explained using the hopping conduction model that takes into account the influence of thermal vibrations of atoms on the resonance integral. Parameter ε in the dependence on the level of doping VO_2 has been calculated.

The electrical conductivity of thin polycrystalline VNi_ x O_2 films has been studied in a wide range of temperatures, which covers the regions of both metallic and insulator phase. It is shown that the metal–insulator phase transition temperature decreases as the nickel concentration increases, and the temperature range of coexistence of the phases increases monotonically. The temperature dependence of the conductivity of the insulating VNi_ x O_2 phase is explained using the hopping conduction model that takes into account the influence of thermal atomic vibrations on the resonance integral. Parameter ε has been calculated as a function of the doping level of VO_2.

Проведены исследования электропроводности поликристаллических пленок V (1−x) Fex O 2 в широком интервале температур, охватывающем область как металлической, так и диэлектрической фазы. Показано, что при увеличении концентрации железа фазовый переход металл−диэлектрик смещается в сторону низких температур, тогда как температурная область перехода в легированных образцах испытывает дополнительное уширение по сравнению с чистым VO 2. Для объяснения температурной зависимости электропроводности диэлектрической фазы V (1−x) Fex O 2 применена модель прыжковой проводимости, учитывающая влияние тепловых колебаний атомов на резонансный интеграл. Вычислены значения параметра ε в зависимости от степени легирования VO 2. Работа частично поддержана научной программой ОФН РАН.

Исследована электропроводность тонких поликристаллических пленок V(1-x)InxO2 в широком интервале температур, охватывающем области существования как металлической, так и диэлектрической фазы. Показано, что с ростом концентрации индия температура фазового перехода металл--диэлектрик понижается, а ширина температурной области сосуществования фаз монотонно увеличивается. Для объяснения температурной зависимости электропроводности диэлектрической фазы V(1-x)InxO2 применена модель прыжковой проводимости, учитывающая влияние тепловых колебаний атомов на резонансный интеграл. Вычислены значения параметра ε в зависимости от степени легирования VO2. Ключевые слова: фазовый переход; оксиды ванадия; тонкие пленки; полярон; электропроводность.