Фазовый Переход Металл--Диэлектрик В Тонких Пленках Диоксида Ванадия, Легированного Вольфрамом

Abstract

The electrical conductivity of thin polycrystalline V_(1 – _ x )W_ x O_2 has been studied in a wide temperature range, which covers the regions of both the metallic and insulator phases. An increase in the tungsten concentration is shown to shift the metal–insulator phase transition toward lower temperatures, while the temperature range of the coexistence of the phases monotonically increases as the impurity concentration increases. The temperature dependence of the conductivity of the insulator phase of V_(1 – _ x )W_ x O_2 is explained using the hopping conduction model that takes into account the influence of thermal vibrations of atoms on the resonance integral. Parameter ε in the dependence on the level of doping VO_2 has been calculated.

Импедансные характеристики γ-облученных твердых растворов (TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(TlInS-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-

“…При приложении слабого переменного электрического поля на обкладки конденсатора диэлектриком, в котором находится соединение с неупорядоченной структурой, следует учитывать наличие трех механизмов переноса заряда, реализующихся в различных температурных и частотных интервалах [17][18][19][20][21][22]: перенос носителей заряда за край подвижности по делокализованным состояниям; прыжковый перенос носителей заряда, возбужденных в локализованные состояния вблизи краев подвижности; прыжковый перенос носителей по локализованным состояниям и преимущественно ионный перенос заряда (суперионная проводимость). Случай переноса носителей по делокализованным состояниям реализуется при высоких частотах.…”

“…Приведенная зависимость, как правило, выполняется на частотах до 10 6 Гц. Она характерна для прыжкового механизма переноса заряда в неупорядоченных системах [17][18][19][20][21][22]. Зависимость вида (1) выполняется в широком частотном интервале, и связана с туннельными прыжками и прыжками носителей через барьеры.…”

“…Зависимость вида (1) выполняется в широком частотном интервале, и связана с туннельными прыжками и прыжками носителей через барьеры. В работах [17][18][19][20][21][22] рассмотрены процессы электрического переноса в переменном поле с широким распределением длин прыжков. В основе этой теории лежит представление о диполе как паре доноров, между которыми происходит перескок электрона.…”

Фазовый Переход Металл-Диэлектрик В Тонких Пленках Диоксида Ванадия, Легированного Никелем

“…Сильное влияние на эти зависимости оказывает введение иновалентных катионных примесей. Введение таких примесей замещения, как Mo 6+ или W 6+ , являющихся донорами, приводит к образованию в кристаллической решетке диоксида ванадия состояния V 3+ [4]. Легирование донорами сопровождается заметным понижением температуры фазового перехода R → M 1 и постепенной его деградацией, то есть постепенным уменьшением " скачка" электропроводности и отражательной способности, сопровождающего фазовый переход.…”

“…Все это подчеркивает важность подхода, при котором катионы примесей рассматриваются не просто как доноры или акцепторы, но и как центры внутреннего расширения или сжатия кристаллической структуры соответственно. Наличие внутренних или внешних упругих напряжений оказывает сильнейшее влияние на процесс перехода металлдиэлектрик (ПМД) в диоксиде ванадия [4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15]. В [6,15] сделан вывод о том, что процесс фазового перехода металл-диэлектрик в диоксиде ванадия контролируется этими упругими напряжениями.…”