For the first time, the kinetics of a solid-phase chemical reaction activated by the energy of elastic stresses generated upon the formation of the Cu/As_2Se_3 nanosized film structure is investigated in situ. It is shown that the time at which a solid-phase chemical reaction starts, as well as the voltage of the Cu/As_2Se_3 heterolayer, significantly depends on the thickness of the As_2Se_3 film. At a critical thickness of the As_2Se_3 film, which is equal to 110 nm, a threshold value of the energy of elastic stresses is achieved. Relaxation of this energy over new defects (micropores and microcracks) generated in the film system leads to the activation of a solid-phase chemical reaction and an increase in its rate. A mechanism of the operation of a positive feedback between the chemical reaction in a solid phase and elastic stresses is proposed.

Поступило в Редакцию 2 февраля 2017 г.Впервые показана возможность получения стехиометрической пленки Bi 2 Se 3 вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi. Установлено, что по-лучение стехиометрической пленки Bi 2 Se 3 возможно только при определенном соотношении толщин пленок Se и Bi (d Se /d Bi = 3.13). Методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены фазовые превращения, протекающие в гетероструктуре Se(141 nm)/ Bi(45 nm) после вакуумно-термической обработки. Определены температуры фазового перехода, при которых образуются различные кристаллические фазы. Показа-но, что в гетероструктуре Se(141 nm)/Bi(45 nm), нагретой до 493 K, процесс кристаллизации Bi 2 Se 3 протекает по экспоненциальному закону с характерным временем установления равновесного состояния 20 min.