Приводятся результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3. Установлено, что в температурном интервале 290-400 K в диапазоне частот 25-106 Hz проводимость подчиняется закону sigma propto f0.76, характерному для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня ферми-состояниям. Оценены плотность этих состояний, среднее расстояние и время прыжков. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки, твердые растворы титаната бария-стронция, проводимость по переменному току.

The conduction characteristics of the inversion channel of Si-transistor structures after the ionic polarization and depolarization of samples are measured in (0–5)-T transverse magnetic fields at temperatures from 100 to 200 K. After ionic polarization in a strong electric field at 420 K, no less than 6 × 10^13 cm^–2 ions flowed through the oxide. The previously found tenfold increase in the conductivity in the source–drain circuit after the polarization of insulating layers is explained by the formation of a new electron transport path along the surface impurity band, related to delocalized D^– states; these states are generated by neutralized ions located in the insulating layer at its interface with the semiconductor.