Films of hafnium oxide (HfO2) were synthesized on a silicon substrate by magnetron sputtering of a target with a similar composition. The results of studies of the structural composition of HfO2 films and the electrical properties of metal-insulator-semiconductor (Ni-HfO2-n-Si) structures are presented.

Приводятся результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3. Установлено, что в температурном интервале 290-400 K в диапазоне частот 25-106 Hz проводимость подчиняется закону sigma propto f0.76, характерному для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня ферми-состояниям. Оценены плотность этих состояний, среднее расстояние и время прыжков. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки, твердые растворы титаната бария-стронция, проводимость по переменному току.