Films of hafnium oxide (HfO2) were synthesized on a silicon substrate by magnetron sputtering of a target with a similar composition. The results of studies of the structural composition of HfO2 films and the electrical properties of metal-insulator-semiconductor (Ni-HfO2-n-Si) structures are presented.
Сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST) синтезированы на платинированные кремниевые подложки методом ВЧ-распыления. На выращенные пленки методом электронно-лучевого распыления сформированы верхние электроды из никеля, алю миния, меди и хрома. Представлены результаты исследований электрофизических свойств полученных гетероструктур металл--диэлектрик--металл (МДМ) (Ме-BST-Pt-Si). Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки BST, структуры металл--диэлектрик--металл (МДМ), микроструктура, электрофизические свойства.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.