Подложки InP(001) используют для создания гетероэпитаксиальных структур (ГЭС), на основе которых изготавливают транзисторы с высокой подвижностью электронов, лазеры, электрооптические модуляторы и фотодиоды [1]. Рост гетероструктуры начинается с удаления аморфного окисного слоя подложки. Обычно окисный слой на подложке InP удаляют высокотемпературным отжигом в потоке As. Однако в процессе отжига происходит изменение элементного состава поверхности подложки с образование твердого раствора InPAs и островков InAs [2, 3]. Решеточное рассогласование между InP и InAs приводит к возникновению напряжений и центрам зарождения дефектов в ГЭС [4], что влечет изменения в начальных этапах зародышеобразования и последующих процессах эпитаксиального роста. Поэтому целью работы является исследование процесса формирования InAs островков на поверхности InP(001) в процессе высокотемпературного отжига в потоке мышьяка.