We report experimental study of phosphorus desorption from epi-ready InP(001) substrates during high-temperature annealing in an arsenic flux. InPAs solid solution and InAs islands form on the surface in the process of annealing. The original method is proposed for determining the number of phosphorus atoms desorbing from the surface by determining the number of arsenic atoms in the InPAs solid solution and InAs islands. The flux of phosphorus desorbing from the surface increases from 1 · 10−4 monolayer · cm−2· s−1 at 500◦C annealing temperature to 7.3 · 10−4 monolayer · cm−2· s−1 at 540◦C. The activation energy of the phosphorus desorption process is 2.7 ± 0.2 eV

Подложки InP(001) используют для создания гетероэпитаксиальных структур (ГЭС), на основе которых изготавливают транзисторы с высокой подвижностью электронов, лазеры, электрооптические модуляторы и фотодиоды [1]. Рост гетероструктуры начинается с удаления аморфного окисного слоя подложки. Обычно окисный слой на подложке InP удаляют высокотемпературным отжигом в потоке As. Однако в процессе отжига происходит изменение элементного состава поверхности подложки с образование твердого раствора InPAs и островков InAs [2, 3]. Решеточное рассогласование между InP и InAs приводит к возникновению напряжений и центрам зарождения дефектов в ГЭС [4], что влечет изменения в начальных этапах зародышеобразования и последующих процессах эпитаксиального роста. Поэтому целью работы является исследование процесса формирования InAs островков на поверхности InP(001) в процессе высокотемпературного отжига в потоке мышьяка.