Возможность создания в одном технологическом процессе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) для излучающих, передающих, модулирующих и принимающих элементов, делает InP ключевым материалом для интегральных систем радиофотоники [1, 2]. Предэпитаксиальная термическая очистка подложек InP в сверхвысоком вакууме ростовой камеры в потоке мышьяка, позволяет получить резкую гетерограницу слой/подложка и избежать неконтролируемого встраивания фосфора в слои InAlAs/InGaAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с подложкой [3]. Однако, в процессе отжига на поверхности формируются InAs островки, которые образуют дефекты на гетерогранице. Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) in situ изучен процесс удаления оксида с поверхности epi-ready InP(001) подложки в потоке мышьяка в сверхвысоком вакууме.

We report experimental study of phosphorus desorption from epi-ready InP(001) substrates during high-temperature annealing in an arsenic flux. InPAs solid solution and InAs islands form on the surface in the process of annealing. The original method is proposed for determining the number of phosphorus atoms desorbing from the surface by determining the number of arsenic atoms in the InPAs solid solution and InAs islands. The flux of phosphorus desorbing from the surface increases from 1 · 10−4 monolayer · cm−2· s−1 at 500◦C annealing temperature to 7.3 · 10−4 monolayer · cm−2· s−1 at 540◦C. The activation energy of the phosphorus desorption process is 2.7 ± 0.2 eV

We report experimental study of the transformation of the epi-ready InP(001) surface during annealing in an arsenic flux. Using the RHEED method, it was shown that an InP1−xAsx layer is formed on the surface. The amount of arsenic substitution for phosphorus at different annealing temperatures was determined, which is 7% at an annealing temperature of 480◦C and increases to 41% with an increase in the annealing temperature to 540◦C. The annealing time has little effect on the degree of substitution.