Изучены возможности предельно высокого легирования теллуром эпитаксиальных слоев GaAs методом металлоорганической газофазной эпитаксии при использовании диизопропилтеллурида в качестве источника. Показано, что вхождение теллура в GaAs происходит вплоть до концентрации атомов ~1021 см-3 без заметных эффектов диффузии и сегрегации. Хорошие значения концентрации носителей (2·1019 см-3) и удельного контактного сопротивления невплавных омических контактов (1.7·10-6 Ом·см2) дают основания для использования таких слоев для создания невплавных омических контактов в электронных приборах. Обнаружено резкое снижение электрической активности атомов Te, падение подвижности электронов и повышение контактного сопротивления при концентрации атомов выше 2·1020 см-3.

Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концен-трацией свободных носителей 10 18 −10 19 см −3 , сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстри-руют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна−Мосса для n-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии.