The character of the chemical interaction and glass formation in the As 2 S 3-CuCr 2 Te 4 system was explored by means of physicochemical analysis (DTA, MSA, XRD, density and microhardness measurements) and a phase diagram was constructed. It was established that the state diagram of the system is a quasi-binary eutectic type. In the system narrow homogeneous regions of up to 1.5 mol % As 2 S 3 and 3.5% mol % CuCr 2 Te 4 were detected. Compounds As 2 S 3 and CuCr 2 Te 4 with each other form a eutectic composition of 10 mol. % СuCr 2 Te 4 with a melting point of 270 o C. Under ordinary conditions, in the As 2 S 3-CuCr 2 Te 4 system based on As 2 S 3 , the glass-forming region reaches 15 mol % CuCr 2 Te 4 .

The interaction in the quasi-ternary system Sb2Se3-CuTe-Cr2Te3 along the Sb2Se3-CuCr2Te4 section was studied by methods of physicochemical analysis: differential thermal (DTA), X-ray phase (XRD), microstructure (MSA), as well as by measuring the density and its microhardness and plotted. The phase diagram of the system is quasi-binary, eutectic type. The composition of the double eutectic formed in the system is 20 mol % CuCr2Te4 and a temperature of 490°C. As a result of the analysis of the microstructure, it was determined that there are single-phase fields based on the original components. It was found that at room temperature, solid solutions based on Sb2Se3 extend to 5 mol % CuCr2Te4, and on the basis of CuCr2Te4 solid solutions reach 13 mol % Sb2Se3.

No abstract

Mетодами дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), микроструктурного (МСА) анализа, а также измерения микротвердости и плотности, исследована система As2Se3-In2Te3 и построена Т - х фазовая диаграмма. Система As2Sе3-In2Te3 является квазибинарным сечением тройной взаимной системы As,In//Sе,Te. Cоединение In2As2Se3Te3 кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки: а =9,40; с =6,36 Å, плотность ρпикн.=5,36 г/см3, ρрент.=5,85 г/см3. В системе образуется одно инконгруэнтное соединение In2As2Sе3Te3,плавящееся при 620оС. Выявлено, что в системе твердые растворы на основе In2Te3 доходят до 3 мол. %, а на основе As2Sе3 практически не обнаружены. В системе при медленном охлаждении область стеклообразования на основе As2Sе3 доходит до 7 мол. % In2Te3, а в режиме закалки в ледяной воде около 12 мол. % In2Te3. By the methods of differential thermal (DTA), X-ray phase (XRD), microstructural (MSA) analysis, as well as measurements of microhardness and density, the As2Se3-In2Te3 system was investigated and the T-x phase diagram was constructed. The As2Sе3-In2Te3 system is a quasi-binary section of the ternary reciprocal system As, In // Se, Te. One incongruent compound In2As2Sе3Te3 is formed in the system, melting at 620оС. Compound In2As2Sе3Te3 crystallizes in the tetragonal system with lattice parameters: a = 9.40; с = 6.36 Å, density ρpycn. = 5.36 g/cm3, ρX-rey. = 5.85 g/cm3. It was found that in the system, solid solutions based on In2Te3 reach 3 mol. %, and practically not found on the basis of As2Sе3. In the system, upon slow cooling, the glass formation region based on As2Se3 reaches 7 mol. % In2Te3, and in the mode of quenching in ice water about 12 mol. % In2Te3.

Методами физико-химического анализа изучены химическое взаимодействие и стеклообразование в системе As2Se3-TlS и построена ее фазовая диаграмма. Установлено, что фазовая диаграмма системы As2Se3-TlS представляет собой квазибинарное сечение тройной взаимной системы As,Tl//S,Se. Система состоит из двух соединений TlAs2SSe3 и Tl3As2S3Se3 в соотношении компонентов 1:1 и 1:3. Оба соединения плавятся с открытым максимумом при 305 и 280°C, соответственно. Установлено, что соединение TlAs2SSе3 кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки: a =I0,I5; c =9,I2; Å, z =6, ρпин.=6,40.103 кг/м3, ρрент..=6,52.103 кг/м3. Соединение Tl3As2S3Se3 кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами решетки: а =11,20; с =9,23 ; Å, z=4, плотность ρпин.=7,15.103 кг/м3, ρрент..=7,17.103 кг/м3. В системе As2Se3-TlS обнаружены две эвтектические точки: координаты 35 мол. % TlS, t=250оС и 65 мол. % TlS, t=190оС. В системе As2Se3-TlS площадь твердого раствора на основе As2Se3 составляет 2.5 мол. % TlS. Во время нормального охлаждения в системе область стеклообразования образуется при 85 мол. % TlS, а при охлаждении в жидком азоте -100 мол. % TlS.