Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T=450-467oC. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1·1010 см-2) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533

Structures with Ge/Si nanoparticles (quantum dots) in an alumina matrix are interesting for researchers due to the combination of two main semiconductors, as well as the use of a matrix with high dielectric permittivity and strong oxygen oxygen–metal bonding. Nanoperiodic multilayer structures in the sequence substrate/Al2O3/Ge/Si/Al2O3 . . .Al2O3 (period — Al2O3/Ge/Si, the number of periods was up to 20) annealed at different temperatures were prepared in this work. It was shown that nanocrystalline particles of both Ge and Si were observed in the structures after annealing. Nanocrystal sizes and quantity were determined by the thicknesses of deposited layers and the annealing temperatures. The results obtained by various optical techniques indicate a quantum-size effect in the structures, which is confirmed by high-resolution microscopy.