Показано, что транспортные свойства графитизированного карбида кремния определяются слоем графена на поверхности SiC, сильно легированным электронами. В слабых магнитных полях и при низких температурах наблюдалось отрицательное магнетосопротивление, являющееся следствием слабой локализации. Впервые в таких образцах в магнетосопротивлении при повышении температуры наблюдался переход от слабой локализации к слабой антилокализации (последняя является проявлением изоспина в графене). В сильных магнитных полях (до 30 Тл) наблюдалась выраженная картина осцилляций Шубникова−де Гааза, которая демонстрирует 4-кратное вырождение спектра носителей вследствие двойного спинового и двойного долинного вырождений, а также проявление фазы Берри. Оценена эффективная масса электронов m * = 0.08m 0 , которая характерна для графена с высокой концентрацией носителей.

No abstract