Coulomb interaction in adsorption system is reduced to the short-range repulsion of the electrons of adsorbed particle and substrate surface atom which are considered as the surface dimer. It is shown that the account of such an interaction leads to the increase of charge transfer between the dimer’s components and decrease of charge transfer between dimer and metallic substrate due to the Fermi level variation.

Исследована переходная область гетероструктуры 3C-SiC/4H-SiC, состоящая из слоев политипов 3C и 4H. На основе предложенной ранее модели спинодального распада получена оценка соотношения толщин 4H- и 3C-слоев в сопоставлении с наблюдаемой картиной, полученной с помощью просвечивающей электронной микроскопии.

Mathematical simulation of the cascade of displacements in SiC is used to consider the specific features of Frenkel-pair generation upon the scattering of 8- and 15-MeV protons. The distribution histograms of energies acquired not only by primary knocked-out atoms, but also by recoil atoms generated in displacement cascades, are calculated. An analysis of the histograms considers two energy ranges. In the first range of “low” energies, the spontaneous recombination of genetically related Frenkel pairs is dominant. Recoil atoms in the second range have a higher energy, which enables these atoms to leave the spontaneousrecombination zone and dissociate into isolated components. The compensation of lightly doped n - and p -4 H -SiC samples grown by gas-phase epitaxy is experimentally studied under irradiation with 8- and 15-MeV protons. The carrier removal rates are measured. The calculated and experimental data are compared and estimates are obtained for the size of the spontaneous-recombination zone.

No abstract

Показано, что транспортные свойства графитизированного карбида кремния определяются слоем графена на поверхности SiC, сильно легированным электронами. В слабых магнитных полях и при низких температурах наблюдалось отрицательное магнетосопротивление, являющееся следствием слабой локализации. Впервые в таких образцах в магнетосопротивлении при повышении температуры наблюдался переход от слабой локализации к слабой антилокализации (последняя является проявлением изоспина в графене). В сильных магнитных полях (до 30 Тл) наблюдалась выраженная картина осцилляций Шубникова−де Гааза, которая демонстрирует 4-кратное вырождение спектра носителей вследствие двойного спинового и двойного долинного вырождений, а также проявление фазы Берри. Оценена эффективная масса электронов m * = 0.08m 0 , которая характерна для графена с высокой концентрацией носителей.