Развитие Модели Спинодального Распада На Примере Гетероструктуры На Основе Политипов Карбида Кремния

Abstract

Исследована переходная область гетероструктуры 3C-SiC/4H-SiC, состоящая из слоев политипов 3C и 4H. На основе предложенной ранее модели спинодального распада получена оценка соотношения толщин 4H- и 3C-слоев в сопоставлении с наблюдаемой картиной, полученной с помощью просвечивающей электронной микроскопии.

On the specific features of silicon carbide heteropolytype epitaxy

“…Будем рассматривать ГПЭ по схеме работы [8], характеризуя переход от исходного политипа к формируемому политипу изменением степени гексаго-нальности D (1). Такую схему описания будем ниже называть D -моделью.…”

“…Так, например, в [4,5] в рам-ках вакансионной модели учитывалось только линеаризованное изменение концентрации углеродных вакансий. В [8] была сформулирована D -модель, где спинодальный распад рассматривался лишь для близких значений 1 D и 2 D , что позволило ввести понятие среднего однородного состояния. Здесь же мы используем вакансионную модель, учитывая изменение концентраций вакансий в обеих подрешетках SiC и не прибегая к линеаризации [10].…”