Для 9 соединений IV-IV и 13 соединений III-V с использованием моделей Китинга и Харрисона получены оценки упругих постоянных третьего порядка, зависимости упругих постоянных второго порядка от давления, параметров Клейнмана и Грюнайзена и коэффициентов теплового расширения. Анализируются зависимость результатов от ионности связей по Филлипсу и расстояния между ближайшими соседями. Ключевые слова: упругие постоянные, параметры Клейнмана и Грюнайзена, коэффициент теплового расширения.

With the aim of the Friedel transition metal d-band model and semiconductor local defect state model the analytical expressions for metal – semiconductor charge transfer and Schottky barrier height are obtained. It is shown that the account of metal magnetization leads to the increase of the charge transfer and corresponding contribution to the Schottky barrier height. Numerical estimates are made for the contacts of Co and Ni with 6H- and 4H-SiC polytypes.