Investigation of IR light emitting diodes (wavelength 850 nm) based on heterostructures AlGaAs/GaAs with multiple quantum wells InGaAs in the region generating radiation, grown by the MOCVD technique, has been carried out. Post-growth technologies for removing the growth substrate GaAs and for transfer the heterostructure on an alien carrier with an optical reflector have been developed. Technological regimes for fabricating the reflector has been optimized and the increase of the IR radiation reflection coefficient up to 92-93% has been achieved. Light-emitting diodes with the external quantum efficiency of 28.5% have been fabricated.

Developed and investigated are IR (850nm) light-emitting diodes based on AlGaAs/Ga(In)As heterostructures grown by the MOC-hydride epitaxy technique with multiple quantum wells in the active region and with a double optical reflector consisted of a multilayer Al0.9Ga0.1As/Al0.1Ga0.9As Bragg heterostructure and an Ag mirror layer. Light-emitting diodes with the external quantum efficiency (EQE) of 37.5% at current densities greater than 10A/cm2 have been fabricated.

Изготовлены оптимизированные фотопреобразователи на основе гетероструктур GaInP/GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии, для работы с лазерным излучением высокой мощности зелено-красного спектрального диапазона. Для формирования лицевой контактной сетки приборов исследованы контактные системы Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au. В результате фотопреобразователь лазерной линии с длиной волны 600 nm с Pd/Ge/Au-контактом демонстрировал КПД более 50% вплоть до плотности мощности падающего излучения 30 W/cm2 с максимальным значением 54.4% при 7 W/cm2. Ключевые слова: фотопреобразователь, лазерное излучение, металлоорганическая газофазная эпитаксия (МОСГФЭ), КПД, спектральная чувствительность.