Высокоэффективные (EQE=37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

Abstract

Developed and investigated are IR (850nm) light-emitting diodes based on AlGaAs/Ga(In)As heterostructures grown by the MOC-hydride epitaxy technique with multiple quantum wells in the active region and with a double optical reflector consisted of a multilayer Al0.9Ga0.1As/Al0.1Ga0.9As Bragg heterostructure and an Ag mirror layer. Light-emitting diodes with the external quantum efficiency (EQE) of 37.5% at current densities greater than 10A/cm2 have been fabricated.

Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs-GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель

“…Технология переноса гетероструктуры на подложку-носитель широко используется при изготовлении высокоэффективных светодиодов [1][2][3][4][5]. Данная технология обеспечивает возможность формирования тыльного металлического отражателя непосредственно на поверхности эпитаксиальных слоев, что позволяет уменьшить оптические потери излучения.…”

“…Важным аспектом является соответствие коэффициента термического расширения слоев гетероструктуры и подложки-носителя, что обеспечивает снижение степени деградации параметров прибора в ходе его изготовления и работы. Оптимальным вариантом является использование серебросодержащей (Ag) пасты [4,5] или Au−In-компаунда [6,7] для монтажа гетероструктуры на GaAs-подложку-носитель.…”

Gazin1-Zpxasysb1-X-Y/Insb Heterostructures for Thermophotovoltaic Converters

“…Многокомпонентные твёрдые растворы на основе соединений А 3 В 5 широко используются для создания оптоэлектронных приборов в видимом и ИК-диапазонах спектра [1][2][3][4][5][6][7][8]. К таким материалам, в частности, относятся твёрдые растворы GaInPAsSb [9].…”