Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и подтверждены с помощью численного моделирования. Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, режимы переноса носителей.

Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики диода Шоттки при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда. Вплоть до самых высоких значений плотности тока падение напряжения на диоде тем больше, чем выше уровень легирования базы. Проанализирован физический механизм, обусловливающий возникновение этого " парадоксального" результата. Численный расчет с помощью программы, учитывающей полную совокупность нелинейных эффектов, обусловленных высоким уровнем инжекции в базовом слое и сильным легированием эмиттерной области, подтверждает справедливость полученного аналитического результата.