Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и подтверждены с помощью численного моделирования. Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, режимы переноса носителей.