На основании предложенной ранее модели электронного спектра бинарных графеноподобных соединений типа ANB8-N построена теория адсорбции, позволяющая выявить роль положения уровня адатома, величины константы взаимодействия адатом-подложка и ширины щели, присущей в свободном состоянии графеноподобному соединению с гетерополярными связями, в формировании электронной структуры адатома. Рассмотрены случаи свободных и эпитаксиальных графеноподобных соединений на поверхности металла. В случае свободных графеноподобных соединений анализ показал, что при больших и промежуточных значениях константы связи адатом-графеноподобное соединение основной вклад в число заполнения адатома na дают локальные состояния, тогда как с уменьшением константы связи возрастает вклад валентной зоны графеноподобного соединения. Основной особенностью эпитаксиального графеноподобного соединения на металле является отсутствие щели и, как следствие, вклада локальных состояний адатома в na. Оценки показали, что изменения констант связей адатом-подложка и графеноподобное соединение-металл влияют на величину na практически одинаковым образом. При этом зависимость na от ширины щели графеноподобного соединения с качественной точки зрения критичной не является. Кратко обсуждается адсорбция на структуре графеноподобное соединение-полупроводник. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44110.8336

Within the scope of two physically different approaches (solid-state and quantum-chemical) adsorption of nitrogen atom and nitrogen dioxide and ammonia mole-cules on silicon carbide are considered. In solid-state approach with the use of Haldane-Anderson model for the densities of state of 4H- and 6H-SiC polytypes it is shown that the binding energies for N and N2 are 6 and 3 eV correspondingly. In quantum-chemical approach for the two-atom surface molecule model for N adsorption the binding energy values are 6 eV for adsorption on C-face and 4 eV for adsorption on Si-face. It is demonstrated that the charge transfer between ad-sorbate and substrate for all the cases considered are negligible. It is proposed that as in the case of NH3 on Si(100) adsorption for SiC substrate ammonia molecule dissociates and H atoms passivate SiC sp3 orbitals.