The admittance of test MIS devices based on nBn structures from Hg1-xCdxTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) is investigated. The composition x in the absorbing layer was 0.29, and the composition in the barrier layer was 0.60. An equivalent circuit of a MIS device based on an nBn structure is proposed and the values of the elements of this circuit are found under various conditions. Comparison of the temperature dependence of the barrier resistance with the Rule07 model indicates the possibility of creating efficient nBn detectors based on MBE HgCdTe for the spectral range of 3–5 μm.

Films of n-Hg0.775Cd0.225Te with near-surface wide-gap layers were grown by molecular beam epitaxy on Si (013) substrates. To measure the admittance, metal – insulator – semiconductor (MIS) structures were fabricated on the basis of the as-grown HgCdTe film, films after implantation, and films after implantation and annealing. Using techniques that take into account the presence of graded-gap layers and slow interface states, the main parameters of the near-surface layers of HgCdTe films have been determined after the technological procedures used to create photodiodes.

Униполярные барьерные детекторы (например, в nBn-конфигурации) обеспечивают возможности повышения рабочей температуры инфракрасных детекторов [1] за счет подавления некоторых компонент темнового тока (в частности, поверхностной утечки и генерации в обедненных областях). Наибольшие успехи достигнуты при создании барьерных детекторов на основе материалов III-V c постоянной решетки 6.1 Å (например, на основе систем InAsSb/AlAsSb, InAs/GaSb), из-за того, что при использовании таких материалов можно обеспечить отсутствие потенциального барьера в валентной зоне. Помимо этого, использование барьерной архитектуры в детекторах на основе материалов III-V позволяет увеличить рабочую температуру приборов, поскольку в традиционных детекторах на основе таких материалов доминируют шумы, связанные с генерацией в обедненных областях. При изготовлении барьерных детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), исчезает необходимость использования ионной имплантации, которая снижает качество материала из-за генерации радиационных дефектов.