No abstract

No abstract

Поступило в Редакцию 29 января 2018 г.Предложен метод бездефектного сухого травления барьерного слоя AlGaN, заключающийся в циклическом повторении операций плазмохимического окис-ления AlGaN и удалении образованного оксидного слоя реактивным ионным травлением в индуктивно-связанной плазме BCl 3 . Впервые с использованием предложенной технологии травления изготовлены HEMT AlGaN/AlN/GaN с заглубленным затвором. Показано, что значения токов полученных транзисто-ров не зависят от количества циклов травления, при этом положение рабочей точки по затвору смещается в сторону положительных напряжений (вплоть до транзисторов, работающих в режиме обогащения).

No abstract

Исследованы полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе AlGaN/AlN/GaN с разной длиной затвора Lg. Значения максимальных частот усиления по току fT и однонаправленного коэффициента усиления fmax составили 88 и 155 GHz для транзисторов с Lg =125 nm и 26 и 82 GHz для транзисторов с Lg = 360 nm соответственно. На основе измеренных S-параметров проведена экстракция значений элементов малосигнальных эквивалентных схем AlGaN/AlN/GaN HEMT и определена зависимость скорости инжекции vinj от напряжения затвор-исток. Также исследовано влияние длины затвора и напряжения между стоком и истоком на величину vinj. DOI: 10.21883/PJTF.2017.16.44927.16727