Представлены результаты исследования деградации несплавных омических контактов с эпитаксиально-доращиваемым сильнолегированным GaN к гетероструктурам с двумерным электронным газом (ДЭГ). Исследовалось изменение значения относительного удельного контактного сопротивления при температурах до 600oC для металлизаций Ti/Pd/Au, Cr/Au и Cr/Pd/Au. Наилучшую стойкость к температурным воздействиям показал состав металлизации Cr/Pd/Au, сопротивление которого уменьшалось при рабочих температурах 400oC. Впервые продемонстрировано, что наибольший вклад в увеличение значения контактного сопротивления к ДЭГ при нагреве выше 400oC вносит сопротивление структуры металл-полупроводник (Cr/Pd/Au-n+-GaN), при этом при температурах 400oC и выше происходит уменьшение значения сопротивления между сильнолегированным GaN и ДЭГ. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45267.16917

Поступило в Редакцию 29 января 2018 г.Предложен метод бездефектного сухого травления барьерного слоя AlGaN, заключающийся в циклическом повторении операций плазмохимического окис-ления AlGaN и удалении образованного оксидного слоя реактивным ионным травлением в индуктивно-связанной плазме BCl 3 . Впервые с использованием предложенной технологии травления изготовлены HEMT AlGaN/AlN/GaN с заглубленным затвором. Показано, что значения токов полученных транзисто-ров не зависят от количества циклов травления, при этом положение рабочей точки по затвору смещается в сторону положительных напряжений (вплоть до транзисторов, работающих в режиме обогащения).

No abstract

Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и InxGa1-xAs c повышенным содержанием индия (x>0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в InxGa1-xAs в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью InxGa1-xAs при x>0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In0.38Ga0.62As и на 64% для антенны на основе In0.53Ga0.47As. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44893.8508

No abstract