Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN

Abstract

Представлены результаты исследования деградации несплавных омических контактов с эпитаксиально-доращиваемым сильнолегированным GaN к гетероструктурам с двумерным электронным газом (ДЭГ). Исследовалось изменение значения относительного удельного контактного сопротивления при температурах до 600oC для металлизаций Ti/Pd/Au, Cr/Au и Cr/Pd/Au. Наилучшую стойкость к температурным воздействиям показал состав металлизации Cr/Pd/Au, сопротивление которого уменьшалось при рабочих температурах 400oC. Впервые продемонстрировано, что наибольший вклад в увеличение значения контактного сопротивления к ДЭГ при нагреве выше 400oC вносит сопротивление структуры металл-полупроводник (Cr/Pd/Au-n+-GaN), при этом при температурах 400oC и выше происходит уменьшение значения сопротивления между сильнолегированным GaN и ДЭГ. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45267.16917

Розвиток Релігійного Туризму Як Шлях До Відновлення Туристичної Галузі В Умовах Соціально-Економчної Кризи

“…Розглядом вказаної проблеми займаються такі вчені як Дмитриевський А.В., Любіцева О.О., Романчук С.П., Маїло Я.В., Христов Т.Т., Биржаков М.Б., Сенін В.С., Муравйов О.Н., Романчук С.П., Павлов С.В., Мезенцев К.В. [1][2][3][4][5][6][7][8][9].…”

“…осіб,у Почаєві -не більше 500 тисяч, у Зарваниці -до 500 тисяч, у Джублику -до 300 тисяч, у Святогірську -близько 100 тисяч. [8] До основних причин, що перешкоджає розвитку релігійного туризму, належать:…”

Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN

“…Слоевое сопротивление канала составило 300 / . Технология формирования меза-изоляции и оми-ческих контактов более подробно описана в работах [13,14]. После формирования омических контактов наносился слой диэлектрика Si 3 N 4 толщиной 100 nm.…”