Изучено влияние атомарного алюминия, нанесенного на подложку сапфира, нитридизованную в разной степени, на качество слоев AlN, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Нитридизация сапфира с формированием на его поверхности ∼ 1 монослоя AlN обеспечивает рост слоев с более гладкой поверхностью и лучшего кристаллического качества по сравнению нитридизацией сапфира, приводящей к формированию нитридизованного слоя AlN толщиной ∼ 2 монослоя. Изменение времени экспонирования нитридизованных подложек в потоке атомарного алюминия существенного влияния на параметры последующих слоeв AlN не оказывает.

После успеха Исаму Акасаки, Хироси Амано и Сюдзи Накамура в получении первого синего светодиода высокой яркости на основе полупроводниковых соединений А3-нитридов на подложке сапфира, данные полупроводники рассматриваются как очень перспективная группа материалов для оптоэлектронных применений, таких как светоизлучающие диоды, лазерные диоды и УФ фотодетекторы. В связи с малой распространённостью и доступностью собственных подложек для эпитаксиального роста AlN, используются инородные подложки сапфира (Al2O3), Si и SiC. Сапфир является наиболее распространенной подложкой ввиду высокого кристаллического совершенства и низкой стоимости.