A new method for the formation of lateral p–n junctions in epitaxial graphene with the use of UV (ultraviolet) radiation is considered. The UV illumination method makes it possible to obtain large-size p–n junctions. Such p–n junctions are investigated in the photocurrent and photoconductivity modes under irradiation with terahertz radiation. The mechanisms of terahertz photoresponse in graphene p–n junctions are discussed.

Изучается терагерцовая фотопроводимость в магнитном поле в эпитаксиальном графене, выращенном на подложке SiC. Проведены исследования зависимости амплитуды сигнала фотоотклика от величины магнитного поля при разных значениях концентрации электронов, тока смещения, интенсивности терагерцового излучения. Механизм фотопроводимости, основанный на нагреве электронов терагерцовым излучением, хорошо объясняет экспериментальные результаты. С увеличением величины магнитного поля обнаружен сильный рост сигнала фотопроводимости из-за увеличения времени релаксации вследствие подавления электрон-электронного рассеяния. Ключевые слова: графен, фотопроводимость, терагерцовое излучение, магнитное поле.

Plasmon excitations in two-dimensional electron systems in an AlGaAs/GaAs heterojunction containing a layer of self-organizing antidots at the heterointerface are experimentally studied. In a magnetic field, in the terahertz absorption spectra obtained by Fourier spectroscopy, along with the cyclotron resonance, a magnetoplasmon mode is observed. With an increase in the magnetic field, an extreme decrease in the width of the magnetoplasmon line occurs, which can be explained by the localization of plasmons by the magnetic field in a random array of antidots.