Proceedings IMCS 2012 2012
DOI: 10.5162/imcs2012/2.5.5
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

2.5.5 Microimmersion lens LEDs for portable photoacoustic methane sensors

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4
1

Citation Types

0
0
0
5

Year Published

2019
2019
2019
2019

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(5 citation statements)
references
References 6 publications
0
0
0
5
Order By: Relevance
“…В прошедшее десятилетие интерес исследователей, как и в предшествующий период, концентрировался в основном на ГС, содержащих слои твердого раствора InAsSbP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) [9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22] или методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) [23][24][25][26][27][28][29][30] на изопериодных к ним подложках InAs. Это позволяло создавать структуры с выводом электролюминесцентного излучения как через широкозонный слой InAsSbP, так и через подложку InAs n-типа проводимости.…”
Section: рекомбинация носителей заряда на гетерограницах и в объеме структур Inas/inassbpunclassified
See 4 more Smart Citations
“…В прошедшее десятилетие интерес исследователей, как и в предшествующий период, концентрировался в основном на ГС, содержащих слои твердого раствора InAsSbP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) [9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22] или методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) [23][24][25][26][27][28][29][30] на изопериодных к ним подложках InAs. Это позволяло создавать структуры с выводом электролюминесцентного излучения как через широкозонный слой InAsSbP, так и через подложку InAs n-типа проводимости.…”
Section: рекомбинация носителей заряда на гетерограницах и в объеме структур Inas/inassbpunclassified
“…Расчетная зависимость мощности излучения, вышедшего из светодиода (P/P 0 ), состыкованного с линзой из халькогенидного стекла с показателем преломления n = 2.4, имеющей диаметр основания D base , равный 1.1 мм и радиус кривизны R = 0.55 мм, от высоты ее цилиндрической чаcти H. Показатель преломления светодиода nLED = 3.5. На вставкесхема, поясняющая условия расчета [21].…”
Section: Led Chipunclassified
See 3 more Smart Citations