AlGaN/GaN HFETs fabricated on 100-mm GaN on silicon () substrates

Brown, J.D.; Borges, R.; Piner, Edwin L.; Vescan, A.; Singhal, Sameer; Therrien, R.

doi:10.1016/s0038-1101(02)00101-6

Cited by 105 publications

(50 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Furthermore, silicon is a very attractive substrate for fabricating GaN-based devices in terms of cost-efficient substrates and availability in large diameters, as well as advantages in thermal and electrical conductivity. Many applications of GaN-based devices on silicon have already been reported [1][2][3]. GaN on silicon is normally grown on the Si(1 1 1)-oriented surface due to the three-fold atomic arrangement of this orientation being compatible to the hexagonal structure of the GaN basal planes [4].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(001) substrates

Schulze¹,

Kisel²,

Dadgar³

et al. 2007

Journal of Crystal Growth

View full text Add to dashboard Cite

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(001) substrates

Schulze¹,

Kisel²,

Dadgar³

et al. 2007

Journal of Crystal Growth

View full text Add to dashboard Cite

“…The thickness of the AlN intermediate layer was relatively thick (100 nm). Recently, Brown et al reported a AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor on 4-inch Si substrate, however, there was no clear growth procedure reported [5].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Growth of GaN on 4‐inch Si substrate with a thin AlGaN/AlN intermediate layer

Ishikawa

Kato

Hao

et al. 2003

phys. stat. sol. (c)

View full text Add to dashboard Cite

We have investigated the crystal growth of GaN on 4-inch Si substrate with a thin AlGaN/AlN intermediate layer. Both the density of pits and the full-width at half-maximum (FWHM) value of the X-ray rocking curve (XRC, ω mode, GaN (0004)) decreased with increasing thickness of the AlGaN/AlN intermediate layer. We have also investigated the quality of GaN and wafer bowing as a function of the GaN layer thickness. With the increase of GaN layer thickness, the FWHM of XRC decreased and the bowing distance of the wafer increases. While the narrowest FWHM value (GaN (0004)) was obtained to be 700 arcsec from 1.5-µm-thick GaN, the bowing distance of the wafer was 100 µm and some cracks were observed at the edge of the wafer. We conclude that the optimum thickness of GaN on 4-inch Si substrate is 1 µm. The FWHM for the near band edge emission of GaN peaking at 364.5 nm was obtained to be 43.9 meV from 1-µm-thick GaN.

show abstract

“…Однако использование подложек с кристаллографической ориентацией, отличной от (001), может обеспечить некоторые преимущества, такие как увеличение подвижности носителей заряда [10,11], изме-нение зонной структуры и спиновых свойств структур, сформированных на высокоиндексных подложках [12]. В настоящее время пластины Si с ориентацией (111) успешно используются для выращивания на кремнии полупроводников типа A III N [13,14]. Кроме того, для некоторых приборных приложений ориентация Si(111) оказывается наиболее предпочтительной в силу макси-мально плотной упаковки атомов Si.…”

Section: Introductionunclassified

Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией

Юрасов¹,

Дроздов²,

Shmagin³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследована сегрегация Sb в слоях Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si с кристаллографической ориентацией (111), (110), (115), и проведено сравнение полученных результатов для этих ориентаций с результатами для наиболее распространенной ориентации (001). Обнаружено, что качественно ход температурных зависимостей коэффициента сегрегации Sb (r) схож для всех исследованных ориентаций, в частности можно выделить два характерных температурных интервала, соответствующих режиму кинетических ограничений и термодинамически равновесному режиму сегрегации. Однако количественно данные для величины r при исследованных ориентациях заметно отличаются от таковых для (001) при одинаковых температурах. Обнаруженные на зависимостях r от температуры роста участки, где r меняется на 5 порядков в узком интервале температур, позволили адаптировать метод се-лективного легирования, основанный на контролируемом использовании эффекта сегрегации, предложенный авторами ранее для структур на Si(001), к структурам, выращенным на подложках Si иных ориентаций. С помощью данного метода были изготовлены селективно-легированные структуры Si : Sb/Si(111), в которых изменение концентрации Sb на порядок происходит на масштабах в несколько нанометров.

show abstract

AlGaN/GaN HFETs fabricated on 100-mm GaN on silicon () substrates

Cited by 105 publications

References 5 publications

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(001) substrates

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(001) substrates

Growth of GaN on 4‐inch Si substrate with a thin AlGaN/AlN intermediate layer

Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией

Contact Info

Product

Resources

About