Applying low-energy ion implantation in the creation of nanocontacts on the surface of ultrathin semiconductor films

Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Следовательно, современное развитие наноэлектроники во многих случаях требует получения отдельных нанокристаллических фаз и нанопленок с толщиной d ≤ 4.0−5.0 nm. В работах [8][9][10] для получения подобных структур использовался метод низкоэнергетической ионной бомбардировки. Однако при этом нанофазы состояли из атомов подложки и легирующего элемента, т. е. невозможно было получить однокомпонентных фаз и пленок.…”

ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ НАНОСТРУКТУР СdMeTe, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ СdTe МЕТОДОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ

“…Показано, что совершенства и свойства этих пленок во многом зависят от метода синтеза, от их толщины и от свойств приконтактного (переходного) слоя, формирующегося на границе раздела пленка-подложка. В последние годы метод низкоэнергетической ионной имплантации часто используется для получения наноразмерных структур на поверхности и в приповерхностной области полупроводников и диэлектрических пленок [7][8][9][10]. В частности, имплантацией ионов Ва + в СdTe в сочетании с отжигом получены нанопленки типа Cd 0.5 Ва 0.5 Te [10].…”

“…В последние годы метод низкоэнергетической ионной имплантации часто используется для получения наноразмерных структур на поверхности и в приповерхностной области полупроводников и диэлектрических пленок [7][8][9][10]. В частности, имплантацией ионов Ва + в СdTe в сочетании с отжигом получены нанопленки типа Cd 0.5 Ва 0.5 Te [10]. Установлено, что плотность состояний валентных электронов и ширина запрещенной зоны нанопленок CdBaTe при d≤25−30 Å зависят от толщины пленок.…”

Formation of nanodimensional structures on surfaces of GaAs and Si by means of ion implantation

“…After annealing at the temperature T = 1200-1300 K in these areas barium silicide (BaSi 2 ) phase was formed with crystal structure and crystallographic orientation closely matching the matrix parameters. In a similar manner, NaSi 2 and CoSi 2 nanofilms and nanocrystals were obtained on the surface of Si as well as the ternary compounds on the surface of GaAs [4,[6][7][8]. We saw that if the thickness of the films was less than 50-60 Å, the decrease of the film thickness lead to the increase of CoSi 2 band gap up to 0.1 eV, and the increase of the lattice parameter to 0.05 Å.…”