Ätzuntersuchungen an Verneuilspinellen

Gottschalch, V.; Petzke, W.‐H.; Butter, E.

doi:10.1002/crat.19720070905

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“…The hornogcneous film doping over the thickness was observed already a t the initial stages of deposition and, in fact, there was no TL. At the growth of epitaxial GaAs films the TIA formation is affected by the face polarity [65]. On the germanium surface the growth conditions of the layers (111)A and (111)B differed, oriented nuclei of different types were formed with different geometry of the growth steps.…”

Section: Transition Layers Caused By Peculiarities Of Growth Processesmentioning

confidence: 99%

Transition regions in epitaxial films

Александров

1977

Phys. Stat. Sol. (a)

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Section: Transition Layers Caused By Peculiarities Of Growth Processesmentioning

confidence: 99%

Transition regions in epitaxial films

Александров

1977

Phys. Stat. Sol. (a)

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Zur Herstellung und Untersuchung einkristalliner isolierender Substrate für mikroelektronische Zwecke

Herberger

Richter

Leistner

et al. 1973

Cryst Res and Technol

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Die an Substrate ftir die Halbleiterepitaxie zu stellenden Forderungen werden diskutiert und unter diesem Gesichtspunkt die wichtigsten der bisher verwendeten einkristallinen isolierenden Substratmaterialien erortert. Ausfiihrlicher wird auf die Materialbesonderheiten des Mg-Al-Spinells eingegangen und uber eigene Untersuchungen sowohl an ,,as grown" als auch an getemperten Verneuil-Spinellen berichtet. Die Ergebnisse verschiedener Polierverfahren bei der Substratherstellung wurden rasterelektronenmikroskopisch sowie mit Hilfe der Reflexionselektronenbeugung untersucht und miteinander verglichen. Eine h u n g der mechanisch polierten Substrate mit heil3er Phosphorsilure brachte, nach dem Kriterium der Reflexionselektronenbeugung, eine vollstcindige Abtragung der gestorten Ober - mamTcsi nepsHe p e 3 y n b~a~~ nonyseam u uccaeaoBanusi 06pa3so~ k13 Mg-Al- EinfiihrungDiinne einkristalhe Halbleiterschichten auf isolierenden einkristallinen Substraten beanspruchen seit einiger Zeit sowohl das Interesse bedeutender Industrielaboratorien als auch zahlreicher anderer Forschungseinrichtungen. Dieses Interesse begriindet sich einmal darin, daB diinne Halbleiterschichten auf Saphir-oder Spinellsubstraten verbesserte oder neuartige Bauelementeanordnungen moglich machen. So wird beispielsweise iiber MOS-Schaltkreise berichtet, die aus dunnen epitektisohen Si-Schichten auf Saphir (Silicon on Sapphire: SOS-Technik) bzw. Spinellsubstraten hergestellt wurden. Derartige SOS-Schaltkreise gestatten gegeniiber den ublichen Si-Schaltkreisen eine wesentlich bessere l) Vortrag, gehelten auf der Arbeitstagung ,,Physik und Technik des Hochvakuurns -Diinne Schichten" vom 2. -6. Oktober 1972 in Dresden, DDR.

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Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga(CH₃)₃AsH₃H₂ System (III) Heteroepitaxy on Isolating Substrates

Petzke

Gottschalch

Butter

1974

Cryst Res and Technol

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Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga (CH,) ,-ASH, -H2 S y s tern (111) Heteroepitaxy on Isolating SubstratesEpitaxial growth of GaAs has been achieved on CaF,, a-Al,O, and spinel substrates. X-ray investigations showed well defined relations between layer perfection and the quality of substrate material. The formation of epitaxial layers in pyrolytic deposition processes is discussed in terms of supersaturation and its influence on nucleation and layer growth.Epitaktische Abscheidungen von GaAs wurden auf FluRspat-, Korund-und Spinellsubstraten erhalten. Rontgenuntersuchungen zeigten eine eindeutige Beziehung zwischen der Schichtperfektion und der Qualitat des Substratmaterials. Das Auftreten von Epitaxie bei pyrolytischen Verfahren wird durch eine Analyse der Ubersattigung und deren EinfluD auf Keimbildung und Wachstum diskutiert. IntroductionWhereas reporting on the deposition of GaAs on GaAs and Ge in Part I and 11, here results of the deposition on completely substantially foreign materials shall be reported.Pyrolysis techniques for the first time enabled epitaxial deposition of GaAs on isolating substrates and until now solely resulted in reproducible effects (MANASEVIT 1968). I n Table 1 the already applied substrate materials and AIIIBv compounds ere listed, also considering other procedures, which, however, as a rule, did not lead to the formation of closed epitaxial intergrown films.The experiments were performed on mechanically polished surfaces of CaF, (hydrothermally grown by VEB Carl Zeiss Jena), spinel (MgO . 3 -3,5 A1,0,, Verneuil-grown by VEB Elektrochemisches Kombinat Bitterfeld) and on corundum (tempered Verneuil-crystals and platelets grown from PbF, flux, without additional surface treatment).Details of the used apparatus have already been described in Part I.The experiments were made to show the influence of the kind and quality of the substrate, the role of misfit and expansion coefficient on the crystallographic perfection of the expitaxial layers. Laue as well diffractograms were used for the characterizing of the layers. Results GaAs/CaF, hetero-layersEpitaxial depositions on (111) misoriented substrates (with a deviation of 10-15" from the exact lattice plane) were produced in the investigated temperature range about 700 "C. Due t o the large differences in the thermal expan-33 *

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Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga(CH3)3AsH3H2 System (III) Heteroepitaxy on Isolating Substrates

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