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Growth experiments with GaN in the system Ga/HCl/NHJHe at different growth temperatures show that the assumption of N-vacancies t o be responsible for the high n-conductivity is questionable. The dependence of carrier concentration on growth temperature as well as the decrease in carrier concentration when additionally purified NH, is used indicate that donor impurities are incorporated. The most probable impurity is oxygen, substitutionally incorporated onto N-sites. The observed growth rate dependence of carrier concentration can well be explained by a kinetically controlled incorporation process.Wachstumsexperimente mit GaN im System Ga/HCl/NH,/He bei verschiedenen Wachstumstemperaturen zeigen, daB die Annahme von N-Vakanzen als der Ursache der hohen n-Leitung in GaN fraglich ist. Die Abhangigkeit der Tragerkonzentration von der Wachstumstemperatur als auch der Abfall in der Tragerlronzentration bei Einsatz von zusatzlieh gereinigtem NH, weisen darauf hin, daR Donatorverunreinigungen eingebaut werden. Die wahrscheinlichste Verunreinigung ist Saucrstoff, substitutionell eingebaut auf N-Platzen. Die beobachtete Wachstumsratenabhangigkeit der Tragerkonzentration kann gut durch einen kinetisch kontrollierten EinbauprozeB erklart werden.

Thermodynamic and Kinetic ConsiderationsFor reactions taking place between the species Ga, As,, As,, ASH,, and H,, the equilibrium constants were calculated. The discussion indicates that factors other than thermodynamic considerations significantly influence the deposition process. Kinetic investigations demonstrate the importance of the As: Ga proportion that has to apply for perfect layer growth. The mechanism of deposition is in correspondence with a Langmuir-Rideal Model. For high substrate temperatures a homogeneous reaction in the vapour phase can-not be excluded.Fiir die zwischen den Spezies Ga, As,, As,, ASH, und H, ableufenden Reaktionen wurden die Gleichgewichtskonstanten berechnet. Es zeigte sich jedoch, daB andere als thermodynamische Faktoren den AbscheidungsprozeB wesentlich bceinflussen. Kinetische Untersuchungen verdeutlichen die Rolle des aufzuwendenden As : Ga-Verhiiltnisses fur optimales Schichtwachstum. Die Abscheidung erfolgt nach einem Langmuir-Rideal Mechanismus. Bei hohen Substrattemperaturen kann eine homogene Reaktion in der Gasphase nicht ausgeschlossen werden.

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Darstellung und Eigenschaften der noch nicht bekannten Innerkomplexe des Eisens, Rutheniums und Rhodiums mit Dibenzoylmethan bzw. p,p′‐Dinitro‐dibenzoylmethan werden beschrieben. Die früher1) bei Diketonkomplexen erfolglos versuchte Methode des Chelataustauschs wurde zu einem sehr allgemein anwendbaren Verfahren zur Darstellung schwer zugänglicher bzw. nach den bisherigen Methoden unzugänglicher höhere β‐Diketonkomplexe, welches auf dem Diketonaustausch der einfachen Metall‐Acetylacetonate beruht, entwickelt. Die experimentellen Ergebnisse haben gezeigt, daß die Komplexbildung beim Ruthenium und Rhodium weitaus schwieriger erfolgt als beim Eisen. Zur Deutung dieses unterschiedlichen Verhaltens wurde die von SCHWARZENBACH2) diskutierte Klassifizierung der inerten und labilen Komplexe herangezogen.