Benzocyclobutene (DVS-BCB) polymer as an interlayer dielectric (ILD) material

Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors

“…where e 0 is the vacuum dielectric permittivity, with the value of C ALD = 620 nF/cm 2 obtained from metal-insulator-metal (MIM) devices for 10 nm Al 2 O 3 (j = 7.0) and a thickness of 5 nm detected by AFM for the BCB polymer, the dielectric constant of the BCB buffer layer is determined to be j = 2.6, a reasonable value for this polymer [26]. We notice that the quantum capacitance does not contribute to the measured C TG because the C BG /C TG is determined from the dependence of the Dirac point on V BG and V TG , where the Fermi level remains zero.…”

“…1a illustrates our process to deposit BCB-buffered dielectric on graphene. The liquid BCB monomer is a siloxanebased material, originally developed for interlevel dielectric technologies [24][25][26]. It can be diluted in its main solvent mesitylene and spin-coated on the graphene surface.…”

Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

“…Dans cette optique, nous avons décidé de tester le remplissage des tranchées par BenzoCycloButene (BCB). Ce SOD dispose de bonnes caractéristiques électriques proches de celles du SiO 2 [76] ; il permet de déposer des couches épaisses supérieures à 10 μm et est actuellement de plus en plus utilisé dans le domaine de la microélectronique comme couche inter-métaux [77] Néanmoins, le remplissage des tranchées par deux couches successives de BCB impose la création une couche épaisse d'environ 40 μm en surface. Nous proposons donc de retirer cette couche par polissage mécanico-chimique (CMP) qui est une méthode rapide et moins coûteuse que la gravure sèche.…”

Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene polymer

“…Unless otherwise mentioned, data included in Table 1 are collected from the manufacturer's data sheet (Dow Chemical Company 2005). BCB which has been primarily used as interlayer dielectric (ILD) for microelectronics applications (Mills et al 1997), finds today a success in MEMS applications more particularly for packaging (Jourdain et al 2005;Seok et al 2006) and thermal isolation purposes (Ma and Wagner 1999;Strandjord et al 1997). …”