Characterizations of pulsed laser deposited SiC thin films

Katharria, Y. S.; Kumar, Sandeep; Prakash, Ram; Choudhary, R. J.; Singh, Fouran; Phase, D. M.; Kanjilal, D.

doi:10.1016/j.jnoncrysol.2007.07.008

Cited by 29 publications

(27 citation statements)

References 44 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…molekulanyaláb epitaxia, porlasztás, ionimplantáció [35]. A legelterjedtebb módszer a kémiai gőzfázisú leválasztás (Chemical Vapor Deposition -CVD) [36].…”

Section: Szilícium-karbidunclassified

“…Legtöbbször kristályos réteg előállítása a cél, ezért fűtött hordozókat használnak. Utólagos kifűtéssel [35,37] vagy lézeres kezeléssel is növelhető a réteg kristályossági foka [38]. Hidrogén bevezetésével, hasonlóan az amorf szilíciumhoz, stabilizálni lehet a szerkezetet a logó kötések megkötésével [39].…”

Section: Szilícium-karbidunclassified

“…Hidrogén bevezetésével, hasonlóan az amorf szilíciumhoz, stabilizálni lehet a szerkezetet a logó kötések megkötésével [39]. SiC vékonyrétegeket készítettek PLD-vel is sztöchiometrikus SiC céltárgyak fűtött hordozóra való leválasztásával [35,36,[40][41][42][43][44][45][46]. A PLD-vel készített SiC rétegek előnye a sztöchiometrikus összetétel [36], ami a többi módszer esetében nem mindig teljesül.…”

Section: Szilícium-karbidunclassified

“…A PLD-vel készített SiC rétegek előnye a sztöchiometrikus összetétel [36], ami a többi módszer esetében nem mindig teljesül. A kísérletekhez KrF excimer lézert [35], Ti:zafír lézert [42] és Nd:YAG lézert [47] használtak.…”

Section: Szilícium-karbidunclassified

“…Az intenzitásokat eltoltam, hogy a különböző rétegekhez tartozó görbék könnyebben összevethetők legyenek. Az ábra felső része az irodalom alapján szóba jöhető kötéstípusok pozícióját szemlélteti [35,57,129,[130][131][132][133][134][135].…”

Section: Különböző öSszetételű Si X C Vékonyrétegek Jellemzéseunclassified

See 4 more Smart Citations

Lézerrel kezelt szilícium felületek, valamint impulzuslézeres rétegépítéssel előállított amorf szilícium és SixC vékonyrétegek ellipszometriai vizsgálata

Hanyecz

View full text Add to dashboard Cite

“…molekulanyaláb epitaxia, porlasztás, ionimplantáció [35]. A legelterjedtebb módszer a kémiai gőzfázisú leválasztás (Chemical Vapor Deposition -CVD) [36].…”

Section: Szilícium-karbidunclassified

Section: Különböző öSszetételű Si X C Vékonyrétegek Jellemzéseunclassified

See 3 more Smart Citations

Lézerrel kezelt szilícium felületek, valamint impulzuslézeres rétegépítéssel előállított amorf szilícium és SixC vékonyrétegek ellipszometriai vizsgálata

Hanyecz

View full text Add to dashboard Cite

Synthesis of Polycrystalline Silicon Carbide (SiC) Thin Films Using Pulsed Laser Deposition

Venkataramesh

Vasa

2013

ZnO Nanocrystals and Allied Materials

View full text Add to dashboard Cite

Silicon carbide (SiC), similar to diamond and other ceramic materials, is a material with excellent functional properties. SiC films based devices can be used for various applications ranging from automobile, aerospace industry, power delivery systems, photovoltaic, and microelectromechanical systems. The growth of bulk single crystals of SiC is difficult, but several techniques, such as chemical vapor deposition (CVD), electron beam CVD (EB-CVD), pulsed laser deposition (PLD), are used to produce SiC thin films for various functional applications. In the PLD technique, high substrate temperature ([600°C) is required to produce crystalline SiC thin films and the onset of the large-scale crystallization has been detected above 800°C. The PLD technique has been extended for SiC film deposition on various substrates, such as Si (100), alkali-free glass materials. A review on PLD of SiC thin film clearly show that it is possible to deposit 3C-SiC (b-SiC) and 4H-SiC (a-SiC) thin films by controlling various process parameters, such as laser fluence and substrate temperature. Recent advances in the PLD technique combined with the surface annealing can improve the characteristics of SiC thin films for photovoltaic and electronic device-related applications.

show abstract

Room temperature pulsed laser deposition of Si x C thin films in different compositions

et al. 2010

View full text Add to dashboard Cite

Characterizations of pulsed laser deposited SiC thin films

Cited by 29 publications

References 44 publications

Lézerrel kezelt szilícium felületek, valamint impulzuslézeres rétegépítéssel előállított amorf szilícium és SixC vékonyrétegek ellipszometriai vizsgálata

Lézerrel kezelt szilícium felületek, valamint impulzuslézeres rétegépítéssel előállított amorf szilícium és SixC vékonyrétegek ellipszometriai vizsgálata

Synthesis of Polycrystalline Silicon Carbide (SiC) Thin Films Using Pulsed Laser Deposition

Room temperature pulsed laser deposition of Si x C thin films in different compositions

Contact Info

Product

Resources

About