Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes

Low dark current P- InAsSbP /n- InAs/N-InAsSbP/n + - InAs double heterostructure back-side illuminated photodiodes

“…Indeed, simulated reduction in 110 lm thick n + -InAs transparency using data in [19] amounts to 6-9% at PD peak wavelength in the 83-300 K interval, whereas sensitivity/collection efficiency drop at maximum in nominally similar front surface illuminated P-InAsSbP/n-InAs single heterostructures was of same above value as well [17]. At temperature above 134 K the D Ã kmax values are close to that of ''broad area" PD in [10] and are several orders higher than in p-i-n junction PDs [5,8] and n-B-n PDs [20]. As a result the BLIP regime temperature was achieved at temperature as high as 150 K for the 2p FOV and k max = 3.1 lm.…”

“…On the other hand several publications outlined that creation of P-InAsSbP/nInAs/N-InAsSbP double heterostructures (DH) increases R 0 A product and decreases reverse current at high bias with respect to homo InAs and single heterojunctions with no n-InAs/N-InAsSbP interface (see e.g. [10]). …”

Источники Спонтанного Излучения На Основе Арсенида Индия (Обзор: Десять Лет Спустя)

“…В прошедшее десятилетие интерес исследователей, как и в предшествующий период, концентрировался в основном на ГС, содержащих слои твердого раствора InAsSbP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) [9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22] или методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ) [23][24][25][26][27][28][29][30] на изопериодных к ним подложках InAs. Это позволяло создавать структуры с выводом электролюминесцентного излучения как через широкозонный слой InAsSbP, так и через подложку InAs n-типа проводимости.…”

“…В работе [24] приводятся значительно большие, чем в [35], значения внутреннего квантового выхода ЭЛ для плоского кристалла размером 500 × 500 мкм, для непрерывного (η int (300 K) = 19.5%, I = 20 мА (8 А/см 2 )) и импульсного (η int (300 K) = 22.3%, I = 290 мА (116 А/см 2 )) режимов работы СД c учетом коэффициента, учитывающего (оптические) потери на границе полупроводник/воздуха и равного 1/[n(n + 1) 2 ], где n = 3.5 -коэффициент преломления InAs. Полученные значения η int (300 K), хотя и не являются рекордными среди опубликованных ранее, но все же требуют критического осмысления, поскольку их трудно согласовать с оценками верхнего предела для этого Current, mA [14]. Более того, в области сверхмалых токов (I ∼ 100 нA) в инфракрасных (ИК) СД возможна реализация режима работы " теплового насоса", при котором в результате термоэлектрического возбуждения при взаимодействии фононного и фотонного полей выделяющаяся в виде потока фотонов энергия превышает электрическую энергию, подаваемую в СД [37,38].…”

Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2-300 K

“…Гетероструктуры (ГС) на основе узкозонных соединений A III B V широко используются для создания светои фотодиодов, перекрывающих спектральную область, в которой находятся полосы поглощения природных и промышленных газов (длины волн 2−6 мкм). Данные ГС используются для изготовления детекторов теплового излучения [1,2], систем экологического мониторинга, медицинской диагностики [3][4][5] и др. приборов.…”